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次世代省エネルギー半導体デバイス開発における材料学的課題

【会場 : 東6ホール セミナー会場 5】

次世代省エネルギー半導体材料として、市場拡大が期待される炭化シリコン(SiC)および窒化ガリウム(GaN)、更には次々世代材料として酸化ガリウム(Ga2O3)およびダイヤモンドが注目されている。本講演ではそれぞれの半導体材料、ウェハ、および光電子デバイスの現状と材料学的課題、更には将来展望について言及する。
 

(国研)物質・材料研究機構
技術開発・共用部門部門長 理事
小出 康夫 氏

セミナーカテゴリ 特別講演
講演日 4月22日(金)
講演時間 14:30~15:30